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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMP6110SSS-13
- 价格 起订量
- ￥ 6.96547 1+
- ￥ 6.57120 10+
- ￥ 6.19924 100+
- ￥ 5.84834 500+
- ￥ 5.51731 1000+
- 型号： DMP6110SSS-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
- 库存地点： 内地
- 库存： 4764
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.96547
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：73.992255mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：58.7 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电容量：1.03nF
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：3.7 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1030pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19.4nC @ 10V
- 上升时间：6.3ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：26.1 ns
- 连续放电电流(ID)：-4.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-60V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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