图片经供参考,以实物为准

MOSFETs 晶体管阵列 / BSO211P H

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: BSO211P H
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装: SOIC-8
  • 描述: Trans MOSFET P-CH
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 16620
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:面板安装
  • 包装/外壳:SOIC-8
  • 越来越多的功能:Flange
  • 外壳材料:铝合金
  • 供应商器件包装:532-FCBGA (23x23)
  • Voltage, Rating:600VAC, 850VDC
  • Package:Bulk
  • Primary Material:Metal
  • Base Product Number:KPT00
  • 厂商:ITT Cannon, LLC
  • Product Status:活跃
  • Contact Finish Mating:Gold
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
  • Moisture Sensitive:
  • Typical Turn-On Delay Time:9 ns, 9 ns
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
  • Pd - Power Dissipation:2 W
  • Transistor Polarity:P-Channel
  • Maximum Operating Temperature:+ 150 C
  • Vgs - Gate-Source Voltage:- 12 V, + 12 V
  • Unit Weight:0.019048 oz
  • Minimum Operating Temperature:- 55 C
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:2500
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Forward Transconductance - Min:8 S, 8 S
  • Channel Mode:Enhancement
  • Part # Aliases:SP000613844 BSO211PHXUMA1
  • Manufacturer:Infineon
  • Brand:Infineon Technologies
  • Qg - Gate Charge:10 nC
  • Rds On - Drain-Source Resistance:54 mOhms, 54 mOhms
  • RoHS:Details
  • Typical Turn-Off Delay Time:23 ns, 23 ns
  • Id - Continuous Drain Current:4.6 A
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:4A (Ta)
  • 操作温度:-55°C ~ 125°C
  • 系列:KPT
  • 包装:MouseReel
  • 终端:焊杯
  • 连接器类型:Receptacle, Male Pins
  • 定位的数量:6
  • 颜色:橄榄色
  • 紧固类型:卡口锁
  • 子类别:MOSFETs
  • 额定电流:7.5A
  • 技术:Si
  • 方向:N (Normal)
  • 屏蔽/屏蔽:-
  • 入口保护:-
  • 外壳完成:橄榄色镉
  • 外壳尺寸-插入:10-98
  • 配置:Dual
  • 通道数量:2 Channel
  • 外壳尺寸,MIL:-
  • 功率 - 最大:1.6W (Ta)
  • 场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:67mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25µA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1095pF @ 15V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:10nC @ 4.5V
  • 上升时间:13 ns, 13 ns
  • 漏源电压 (Vdss):20V
  • 产品类别:MOSFET
  • 晶体管类型:2 P-Channel
  • 场效应管特性:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • 特征:Backshell
  • 产品类别:MOSFET
  • 宽度:3.9 mm
  • 高度:1.75 mm
  • 长度:4.9 mm
  • 触点表面处理厚度 - 配套:50.0µin (1.27µm)

采购询价