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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NVTR01P02LT1G
- 价格 起订量
- ￥ 3.10806 1+
- ￥ 2.93213 10+
- ￥ 2.76616 100+
- ￥ 2.60958 500+
- ￥ 2.46187 1000+
- 型号： NVTR01P02LT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 42000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.10806
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- 工厂交货时间：9 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：400mW Ta
- Turn Off Delay Time：18 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：400mW
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：220m Ω @ 750mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：225pF @ 5V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.1nC @ 4V
- 上升时间：15ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：1.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.22Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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