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单MOSFET晶体管 / NDS355AN
- 价格 起订量
- ￥ 4.76279 1+
- ￥ 4.49319 10+
- ￥ 4.23886 100+
- ￥ 3.99893 500+
- ￥ 3.77257 1000+
- 型号： NDS355AN
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 60000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.76279
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Turn Off Delay Time：13 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：1998
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：85mOhm
- 电压 - 额定直流：30V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：1.7A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：500mW
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：85m Ω @ 1.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：195pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5nC @ 5V
- 上升时间：32ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：32 ns
- 连续放电电流(ID)：1.7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：1.6 V
- 高度：1.22mm
- 长度：2.92mm
- 宽度：3.05mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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