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单MOSFET晶体管 / IRLML6302TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 3.78832 1+
- ￥ 3.57389 10+
- ￥ 3.37160 100+
- ￥ 3.18075 500+
- ￥ 3.00071 1000+
- 型号： IRLML6302TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.78832
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：Micro3
- Power Dissipation (Max)：540mW Ta
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：780mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.7V 4.5V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：600mOhm
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：-20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-620mA
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：540mW
- 接通延迟时间：13 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：600m Ω @ 610mA, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：97pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.6nC @ 4.45V
- 上升时间：18ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：22 ns
- 连续放电电流(ID)：-780mA
- 阈值电压：-1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.78A
- 漏源击穿电压：-20V
- 双电源电压：-20V
- 栅源电压：-1.5 V
- 最小击穿电压：20V
- 宽度：1.397mm
- 高度：1.016mm
- 长度：3.0226mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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