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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDS4141
- 价格 起订量
- ￥ 10.48938 1+
- ￥ 9.89564 10+
- ￥ 9.33551 100+
- ￥ 8.80708 500+
- ￥ 8.30857 1000+
- 型号： FDS4141
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Mosfet, p Ch, -40v, 0.011ohm, -10.8a, Soic-8, Full Reel
- 库存地点： 内地
- 库存： 10200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.48938
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：130mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：5W Ta
- Turn Off Delay Time：42 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：13MOhm
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13m Ω @ 10.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2670pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：49nC @ 10V
- 上升时间：2ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：-10.8A
- 阈值电压：-1.6V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-40V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：36A
- 雪崩能量等级（Eas）：294 mJ
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：-1.6 V
- 高度：1.75mm
- 长度：4.9mm
- 宽度：3.9mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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