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单MOSFET晶体管 / STD5N20LT4
- 价格 起订量
- ￥ 7.25846 1+
- ￥ 6.84760 10+
- ￥ 6.46000 100+
- ￥ 6.09434 500+
- ￥ 5.74938 1000+
- 型号： STD5N20LT4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET Transistor, N Channel, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.25846
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：33W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：700mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 电压 - 额定直流：200V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：5A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STD5N
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：33W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：700m Ω @ 2.5A, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：242pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 5V
- 上升时间：21.5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15.5 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 阈值电压：2.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏源击穿电压：200V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20A
- 双电源电压：200V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：2.5 V
- 高度：2.63mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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