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单MOSFET晶体管 / DMG1012T-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.28416 1+
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- ￥ 1.80926 1000+
- 型号： DMG1012T-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-523
- 描述： MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
- 库存地点： 内地
- 库存： 43999
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.28416
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-523
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-523
- 质量：2.012816mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：630mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：280mW Ta
- Turn Off Delay Time：26.7 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：400MOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：280mW
- 接通延迟时间：5.1 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：400mOhm @ 600mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：60.67pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.74nC @ 4.5V
- 上升时间：7.4ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±6V
- 下降时间（典型值）：12.3 ns
- 连续放电电流(ID)：630mA
- 阈值电压：1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：6V
- 漏源击穿电压：20V
- 输入电容：60.67pF
- 漏源电阻：300mOhm
- 最大rds：400 mΩ
- 高度：800μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：850μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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