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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / 2N7002T
- 价格 起订量
- ￥ 2.25847 1+
- ￥ 2.13063 10+
- ￥ 2.01003 100+
- ￥ 1.89626 500+
- ￥ 1.78892 1000+
- 型号： 2N7002T
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-89, SOT-490
- 描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.25847
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-89, SOT-490
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Power Dissipation (Max)：200mW Ta
- Turn Off Delay Time：12.5 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：7.5Ohm
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200mW
- 接通延迟时间：5.85 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5 Ω @ 50mA, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：115mA
- 阈值电压：1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：78V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：1.76 V
- 高度：780μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：980μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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