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单MOSFET晶体管 / DMG1013T-7
- 价格 起订量
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- 型号： DMG1013T-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-523
- 描述： P-Channel 20 V 0.7 Ohm 0.27 W Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
- 库存地点： 内地
- 库存： 49000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.29488
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-523
- 引脚数：3
- 质量：2.012816mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：460mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：270mW Ta
- Turn Off Delay Time：28.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：700mOhm
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：270mW
- 接通延迟时间：5.1 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：700m Ω @ 350mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：59.76pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.622nC @ 4.5V
- 上升时间：8.1ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±6V
- 下降时间（典型值）：20.7 ns
- 连续放电电流(ID)：-460mA
- 阈值电压：-1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：6V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.46A
- 漏源击穿电压：-20V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：900μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：850μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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