简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRLS3036TRL7PP
- 价格 起订量
- ￥ 23.83144 1+
- ￥ 22.48249 10+
- ￥ 21.20990 100+
- ￥ 20.00934 500+
- ￥ 18.87673 1000+
- 型号： IRLS3036TRL7PP
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- 描述： MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
- 库存地点： 内地
- 库存： 3651
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 23.83144
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：240A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：380W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：1.9MOhm
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：380W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.9m Ω @ 180A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：11270pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：160nC @ 4.5V
- 上升时间：540ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：170 ns
- 连续放电电流(ID)：240A
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：1000A
- 雪崩能量等级（Eas）：300 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
AUIRLS3036-7P Infineon Technologies- IRLS3036-7PPBF Infineon Technologies
STH265N6F6-6AG STMicroelectronics
