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MOSFETs 晶体管阵列 / DMHC3025LSD-13
- 价格 起订量
- ￥ 7.53380 1+
- ￥ 7.10736 10+
- ￥ 6.70506 100+
- ￥ 6.32553 500+
- ￥ 5.96748 1000+
- 型号： DMHC3025LSD-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
- 库存地点： 内地
- 库存： 21500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.53380
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 质量：73.992255mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A 4.2A
- Turn Off Delay Time：28.2 ns
- Number of Elements：4
- 包装：Cut Tape (CT)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.5W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DMHC3025LSD
- 参考标准：AEC-Q101
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.5W
- 接通延迟时间：7.5 ns
- 场效应管类型：2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：25m Ω @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：590pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.7nC @ 10V
- 上升时间：4.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：13.5 ns
- 连续放电电流(ID)：4.2A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.025Ohm
- 漏源击穿电压：-30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：60A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1.7mm
- 长度：4.95mm
- 宽度：3.95mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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