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MOSFETs 晶体管阵列 / IRF7379TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 5.66051 1+
- ￥ 5.34010 10+
- ￥ 5.03783 100+
- ￥ 4.75267 500+
- ￥ 4.48365 1000+
- 型号： IRF7379TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 33288
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.66051
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.8A 4.3A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：2.5W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：5.8A
- 基本部件号：IRF7379PBF
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：45m Ω @ 5.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：520pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：25nC @ 10V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：5.8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.045Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：46A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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