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MOSFETs 晶体管阵列 / DMC3025LSD-13
- 价格 起订量
- ￥ 4.83296 1+
- ￥ 4.55940 10+
- ￥ 4.30132 100+
- ￥ 4.05785 500+
- ￥ 3.82816 1000+
- 型号： DMC3025LSD-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
- 库存地点： 内地
- 库存： 5655
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.83296
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：73.992255mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.5A 4.2A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：28.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.2W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：DMC3025
- 参考标准：AEC-Q101
- 通道数量：2
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：6.8 ns
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：20m Ω @ 7.4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：501pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.8nC @ 10V
- 上升时间：4.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：12.4 ns
- 连续放电电流(ID)：4.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3A
- 漏源击穿电压：-30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1.5mm
- 长度：4.95mm
- 宽度：3.95mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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