简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMD8280
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： FDMD8280
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 12-PowerWDFN
- 描述： PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：12-PowerWDFN
- 引脚数：12
- 质量：82.3188mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：26 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：12
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1W
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：排水源头
- 接通延迟时间：15 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.2m Ω @ 11A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3050pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：44nC @ 10V
- 上升时间：12ns
- 漏源电压 (Vdss)：80V
- 下降时间（典型值）：8.9 ns
- 连续放电电流(ID)：11A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：80V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDMD8280 ON Semiconductor
NTMFS5C646NLT1G ON Semiconductor- NVMFS5C670NLT1G ON Semiconductor
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated- NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor
