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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / IXXH30N65B4
- 价格 起订量
- ￥ 42.25782 1+
- ￥ 39.86586 10+
- ￥ 37.60931 100+
- ￥ 35.48048 500+
- ￥ 33.47215 1000+
- 型号： IXXH30N65B4
- 厂商： IXYS
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
- 库存地点： 内地
- 库存： 32189
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 42.25782
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.66V
- Test Conditions：400V, 30A, 15 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：170 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：GenX4™, XPT™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：230W
- 元素配置：Single
- 功率耗散：230W
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：32 ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2V
- 最大集电极电流：65A
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 30A
- IGBT类型：PT
- 闸门收费：52nC
- 集极脉冲电流（Icm）：146A
- Td（开/关）@25°C：32ns/170ns
- 开关能量：1.55mJ (on), 480μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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