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单片IGBT晶体管 / IXXH30N60B3D1
- 价格 起订量
- ￥ 47.15697 1+
- ￥ 44.48770 10+
- ￥ 41.96953 100+
- ￥ 39.59390 500+
- ￥ 37.35273 1000+
- 型号： IXXH30N60B3D1
- 厂商： IXYS
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
- 库存地点： 内地
- 库存： 16
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 47.15697
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：28 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.66V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 24A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：GenX3™, XPT™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 最大功率耗散：270W
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 功率耗散：270W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：25ns
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 接通时间：57 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V, 24A
- 关断时间-标准值（toff)：292 ns
- IGBT类型：PT
- 闸门收费：39nC
- 集极脉冲电流（Icm）：115A
- Td（开/关）@25°C：23ns/97ns
- 开关能量：550μJ (on), 500μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：5.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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