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单片IGBT晶体管 / STGWA30M65DF2
- 价格 起订量
- ￥ 54.02526 1+
- ￥ 50.96722 10+
- ￥ 48.08229 100+
- ￥ 45.36065 500+
- ￥ 42.79306 1000+
- 型号： STGWA30M65DF2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 14
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 54.02526
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：30 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.55V
- Test Conditions：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：258W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STGWA30
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：258W
- 集电极发射器电压(VCEO)：2V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：140 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 30A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：80nC
- 集极脉冲电流（Icm）：120A
- Td（开/关）@25°C：31.6ns/115ns
- 开关能量：300μJ (on), 960μJ (off)
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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