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单片IGBT晶体管 / IXBF55N300
- 价格 起订量
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- 型号： IXBF55N300
- 厂商： IXYS
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述： DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P
- 库存地点： 内地
- 库存： 500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 厂商：IXYS
- Package：Tube
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：86 A
- Test Conditions：-
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 25 V, + 25 V
- Pd - Power Dissipation：357 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.7 V
- Unit Weight：0.176370 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：25
- Continuous Collector Current at 25 C：86 A
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：IXYS
- Brand：IXYS
- Tradename：BIMOSFET
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：3 kV
- Package Description：ISOPLUS, I4PAK-3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Turn-on Time-Nom (ton)：637 ns
- Manufacturer Package Code：ISOPLUS
- Turn-off Time-Nom (toff)：475 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IXBF55N300
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：IXYS CORP
- Risk Rank：8.51
- Part Package Code：ISOPLUS
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：IGBTs
- 最大功率耗散：357 W
- 技术：Si
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 元素配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：357 W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 产品类别：IGBT晶体管
- 集电极发射器电压(VCEO)：3 kV
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：3000 V
- 最大耗散功率(Abs)：290 W
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V, 55A
- 集电极电流-最大值(IC)：73 A
- IGBT类型：-
- 集电极-发射器电压-最大值：3000 V
- 闸门收费：335 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：600 A
- Td（开/关）@25°C：-
- 开关能量：-
- 栅极-发射极电压-最大值：25 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：5 V
- 反向恢复时间(trr)：1.9 μs
- 产品类别：IGBT晶体管
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