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单片IGBT晶体管 / GT30J341,Q
- 价格 起订量
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- 型号： GT30J341,Q
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-3P-3, SC-65-3
- 描述： IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
- 库存地点： 内地
- 库存： 12
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-3P-3, SC-65-3
- 供应商器件包装：TO-3P(N)
- 厂商：东芝半导体与存储
- Package：Tray
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：59 A
- Test Conditions：300V, 30A, 24Ohm, 15V
- Base Product Number：GT30J341
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 25 V, + 25 V
- Pd - Power Dissipation：230 W
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：100
- Continuous Collector Current at 25 C：59 A
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- Continuous Collector Current Ic Max：120 A
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：600 V
- Package Description：,
- Manufacturer Part Number：GT30J341,Q
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Risk Rank：5.67
- 系列：-
- 操作温度：175°C (TJ)
- 包装：Tray
- 子类别：IGBTs
- 技术：Si
- Reach合规守则：unknown
- 配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：230 W
- 产品类别：IGBT晶体管
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 30A
- 集极脉冲电流（Icm）：120 A
- Td（开/关）@25°C：80ns/280ns
- 开关能量：800μJ (on), 600μJ (off)
- 反向恢复时间(trr)：50 ns
- 产品类别：IGBT晶体管
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