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单片IGBT晶体管 / APT25GR120BD15
- 价格 起订量
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- 型号： APT25GR120BD15
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247
- 库存地点： 内地
- 库存： 32363
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：29 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 质量：38.000013g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Test Conditions：600V, 25A, 4.3 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2001
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：521W
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：75A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V, 25A
- 连续集电极电流：75A
- IGBT类型：NPT
- 闸门收费：203nC
- 集极脉冲电流（Icm）：100A
- Td（开/关）@25°C：16ns/122ns
- 开关能量：742μJ (on), 427μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：30V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- 高度：5.31mm
- 长度：21.46mm
- 宽度：16.26mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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