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单片IGBT晶体管 / IRG4PH50SPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRG4PH50SPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
- 库存地点： 内地
- 库存： 57
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：38.000013g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.75V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：960V, 33A, 5 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：845 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2004
- 零件状态：最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：通孔
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：1.2kV
- 最大功率耗散：200W
- 额定电流：57A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：32 ns
- 晶体管应用：电源控制
- 上升时间：29ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：57A
- 连续放电电流(ID)：57A
- JEDEC-95代码：TO-247AC
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 输入电容：3.6nF
- 接通时间：62 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V, 33A
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 连续集电极电流：57A
- 关断时间-标准值（toff)：2170 ns
- 闸门收费：167nC
- 集极脉冲电流（Icm）：114A
- Td（开/关）@25°C：32ns/845ns
- 开关能量：1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
- 高度：24.99mm
- 长度：15.875mm
- 宽度：5.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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