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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / IXGH32N120A3
- 价格 起订量
- ￥ 76.56696 1+
- ￥ 72.23299 10+
- ￥ 68.14433 100+
- ￥ 64.28710 500+
- ￥ 60.64821 1000+
- 型号： IXGH32N120A3
- 厂商： IXYS
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 1200V 75A 300W TO247
- 库存地点： 内地
- 库存： 52388
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 76.56696
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：30 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.500007g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.35V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：GenX3™
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 最大功率耗散：300W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：300W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：75A
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 输入电容：2.15nF
- 接通时间：239 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.35V @ 15V, 32A
- 关断时间-标准值（toff)：1380 ns
- IGBT类型：PT
- 闸门收费：89nC
- 集极脉冲电流（Icm）：230A
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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