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单片IGBT晶体管 / IHW20N65R5XKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 14.75746 1+
- ￥ 13.92213 10+
- ￥ 13.13409 100+
- ￥ 12.39065 500+
- ￥ 11.68929 1000+
- 型号： IHW20N65R5XKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 650V 40A 150W TO247
- 库存地点： 内地
- 库存： 801
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.75746
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 10A, 20 Ω, 15V
- 操作温度：-40°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：TrenchStop®
- 已出版：2013
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：150W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：150W
- 晶体管应用：电源控制
- 无卤素：无卤素
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：40A
- 反向恢复时间：68 ns
- 接通时间：38 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V, 20A
- 关断时间-标准值（toff)：310 ns
- 闸门收费：97nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- Td（开/关）@25°C：24ns/250ns
- 开关能量：300μJ (on), 70μJ (off)
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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