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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / HGTG20N60B3D
- 价格 起订量
- ￥ 48.07070 1+
- ￥ 45.34972 10+
- ￥ 42.78275 100+
- ￥ 40.36109 500+
- ￥ 38.07650 1000+
- 型号： HGTG20N60B3D
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60B3DIGBT Single Transistor, General Purpose, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 66
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 48.07070
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：220 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：低导通损耗
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流：600V
- 最大功率耗散：165W
- 额定电流：20A
- 基本部件号：HGTG20N60
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：165W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：25 ns
- 晶体管应用：MOTOR CONTROL
- 上升时间：20ns
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：40A
- 反向恢复时间：55ns
- 最大击穿电压：600V
- 接通时间：45 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 20A
- 关断时间-标准值（toff)：360 ns
- 闸门收费：80nC
- 集极脉冲电流（Icm）：160A
- 开关能量：475μJ (on), 1.05mJ (off)
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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