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单片IGBT晶体管 / NGTB35N65FL2WG
- 价格 起订量
- ￥ 42.31406 1+
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- ￥ 35.52770 500+
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- 型号： NGTB35N65FL2WG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NGTB35N65FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 30180
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 42.31406
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：21 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：38.000013g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.2V
- Test Conditions：400V, 35A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2011
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：300W
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：300W
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：70A
- 反向恢复时间：68 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 35A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：125nC
- 集极脉冲电流（Icm）：120A
- Td（开/关）@25°C：72ns/132ns
- 开关能量：840μJ (on), 280μJ (off)
- 高度：21.08mm
- 长度：16.26mm
- 宽度：5.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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