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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / FGH75T65SHD-F155
- 价格 起订量
- ￥ 60.15519 1+
- ￥ 56.75018 10+
- ￥ 53.53791 100+
- ￥ 50.50746 500+
- ￥ 47.64855 1000+
- 型号： FGH75T65SHD-F155
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： FGH75T65 Series 650 V 75 A Through Hole Field Stop Trench IGBT - TO-247-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 4500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 60.15519
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 质量：6.39g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 75A, 3 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：455W
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：455W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.1V
- 最大集电极电流：150A
- 反向恢复时间：43.4 ns
- JEDEC-95代码：TO-247AB
- 接通时间：84.8 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V, 75A
- 关断时间-标准值（toff)：100 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：123nC
- 集极脉冲电流（Icm）：225A
- Td（开/关）@25°C：28ns/80ns
- 开关能量：2.4mJ (on), 720μJ (off)
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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