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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / FGH30T65UPDT-F155
- 价格 起订量
- ￥ 23.10063 1+
- ￥ 21.79305 10+
- ￥ 20.55948 100+
- ￥ 19.39573 500+
- ￥ 18.29786 1000+
- 型号： FGH30T65UPDT-F155
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 650V 60A 250W TO247-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 31
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 23.10063
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.1V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 30A, 8 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：TIN
- 最大功率耗散：250W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：250W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：43 ns
- JEDEC-95代码：TO-247AB
- 接通时间：52 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V, 30A
- 关断时间-标准值（toff)：170 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：155nC
- 集极脉冲电流（Icm）：90A
- Td（开/关）@25°C：22ns/139ns
- 开关能量：760μJ (on), 400μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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