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单片IGBT晶体管 / IXXH80N65B4H1

  • 价格 起订量
  • ¥ 77.18940 1+
  • ¥ 72.82019 10+
  • ¥ 68.69829 100+
  • ¥ 64.80971 500+
  • ¥ 61.14124 1000+
  • 型号: IXXH80N65B4H1
  • 厂商: IXYS
  • 类别: 单片IGBT晶体管
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 24
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 77.18940

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:18 Weeks
  • 底架:通孔
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-247-3
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:650V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1.65V
  • Test Conditions:400V, 80A, 3 Ω, 15V
  • 操作温度:-55°C~175°C TJ
  • 包装:Tube
  • 系列:GenX4™, XPT™
  • 已出版:2015
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 最大功率耗散:625W
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:625W
  • 输入类型:Standard
  • 集电极发射器电压(VCEO):2V
  • 最大集电极电流:160A
  • 反向恢复时间:150ns
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V, 80A
  • IGBT类型:PT
  • 闸门收费:120nC
  • 集极脉冲电流(Icm):430A
  • Td(开/关)@25°C:38ns/120ns
  • 开关能量:3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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