图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / IRGP4262D-EPBF
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IRGP4262D-EPBF
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: IGBT 650V 60A 250W TO247AC
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:15 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.7V
- Test Conditions:400V, 24A, 10 Ω, 15V
- 操作温度:-40°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 已出版:2013
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:250W
- 上升时间-最大值:45ns
- 元素配置:Single
- 输入类型:Standard
- 功率 - 最大:250W
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO):2.1V
- 最大集电极电流:60A
- 反向恢复时间:170 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V, 24A
- 闸门收费:70nC
- 集极脉冲电流(Icm):96A
- Td(开/关)@25°C:24ns/73ns
- 开关能量:520μJ (on), 240μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值:20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值:7.7V
- 最大下降时间 (tf):40ns
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRGP4262D-EPBF Infineon Technologies
FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
STGWA30M65DF2 STMicroelectronics
STGW30M65DF2 STMicroelectronics
IRGP4740D-EPBF Infineon Technologies

