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单MOSFET晶体管 / MCH6337-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 1.81826 1+
- ￥ 1.71534 10+
- ￥ 1.61825 100+
- ￥ 1.52665 500+
- ￥ 1.44024 1000+
- 型号： MCH6337-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6
- 库存地点： 内地
- 库存： 300
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.81826
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 表面安装：YES
- 引脚数：6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：69 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.3V @ 1mA
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：49mOhm
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.5W
- 接通延迟时间：8.4 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：49m Ω @ 3A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：670pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7.3nC @ 4.5V
- 上升时间：45ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：63 ns
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏源击穿电压：-20V
- 高度：850μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.6mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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