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单MOSFET晶体管 / DMP3065LVT-7
- 价格 起订量
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- 型号： DMP3065LVT-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC
- 库存地点： 内地
- 库存： 4230
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.9A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.2W Ta
- Turn Off Delay Time：21.8 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2000
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：DMP3065
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：5.7 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：42m Ω @ 4.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：587pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12.3nC @ 10V
- 上升时间：11.8ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：23.9 ns
- 连续放电电流(ID)：4.9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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