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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / CPH6341-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 4.09361 1+
- ￥ 3.86190 10+
- ￥ 3.64330 100+
- ￥ 3.43708 500+
- ￥ 3.24252 1000+
- 型号： CPH6341-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： Trans MOSFET P-CH 30V 5A 6-Pin CPH T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 14562
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.09361
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：45 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：1
- 接通延迟时间：7.5 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：59m Ω @ 3A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：430pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 10V
- 上升时间：26ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：35 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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