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单MOSFET晶体管 / IPD035N06L3GATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPD035N06L3GATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
- 库存地点： 内地
- 库存： 637
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：90A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：167W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2008
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.5m Ω @ 90A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 93μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13000pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：79nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：90A
- JEDEC-95代码：TO-252AA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：162A
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：165 mJ
- RoHS状态：符合RoHS标准
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