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单MOSFET晶体管 / FDD86567-F085
- 价格 起订量
- ￥ 21.51490 1+
- ￥ 20.29707 10+
- ￥ 19.14818 100+
- ￥ 18.06432 500+
- ￥ 17.04181 1000+
- 型号： FDD86567-F085
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 356
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.51490
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 质量：260.37mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：MKT-TO252A03REV11
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：227W Tj
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.29.00.95
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：227W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.2m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4950pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：82nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：100A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0032Ohm
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：115 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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