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单MOSFET晶体管 / DMP21D5UFD-7
- 价格 起订量
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- 型号： DMP21D5UFD-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-UDFN
- 描述： Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-UDFN
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：600mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.2V 4.5V
- Power Dissipation (Max)：400mW Ta
- Turn Off Delay Time：20.2 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 通道数量：1
- 接通延迟时间：8.5 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1 Ω @ 100mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：46.1pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：800nC @ 8V
- 上升时间：4.3ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：19.2 ns
- 连续放电电流(ID)：600mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-20V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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