简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMN2400UFB4-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.26879 1+
- ￥ 2.14037 10+
- ￥ 2.01922 100+
- ￥ 1.90492 500+
- ￥ 1.79709 1000+
- 型号： DMN2400UFB4-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-XFDFN
- 描述： MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
- 库存地点： 内地
- 库存： 78000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.26879
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Gold
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XFDFN
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：750mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：470mW Ta
- Turn Off Delay Time：14.8 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：4.11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：550m Ω @ 600mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：36pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.5nC @ 4.5V
- 上升时间：3.82ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：9.6 ns
- 连续放电电流(ID)：750mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.55Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 高度：350μm
- 长度：1.08mm
- 宽度：675μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated- DMP21D0UFB4-7B Diodes Incorporated
- DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated
