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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NDDL01N60ZT4G
- 价格 起订量
- ￥ 4.20315 1+
- ￥ 3.96524 10+
- ￥ 3.74079 100+
- ￥ 3.52905 500+
- ￥ 3.32929 1000+
- 型号： NDDL01N60ZT4G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 2145
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.20315
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：800mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：26W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：15 Ω @ 400mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：92pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.9nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：800mA
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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