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单MOSFET晶体管 / SSR1N60BTM-WS
- 价格 起订量
- ￥ 5.78755 1+
- ￥ 5.45996 10+
- ￥ 5.15090 100+
- ￥ 4.85934 500+
- ￥ 4.58429 1000+
- 型号： SSR1N60BTM-WS
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.78755
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：900mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 28W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- Reach合规守则：not_compliant
- 功率耗散：2.5W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：12 Ω @ 450mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：215pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7.7nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：900mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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