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单MOSFET晶体管 / IRFH8318TR2PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFH8318TR2PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 470
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：PQFN (5x6)
- Turn Off Delay Time：18 ns
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：27A Ta 120A Tc
- 已出版：2008
- 系列：HEXFET®
- 包装：Cut Tape (CT)
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：3.1MOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：3.6W
- 元素配置：Single
- 功率耗散：3.6W
- 接通延迟时间：15 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.1mOhm @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3180pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：41nC @ 10V
- 上升时间：33ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：27A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：3.18nF
- 恢复时间：24 ns
- 漏源电阻：3.1mOhm
- 最大rds：3.1 mΩ
- 栅源电压：1.8 V
- 宽度：5mm
- 长度：5.85mm
- 高度：1.17mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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