简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRFH8324TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 6.52330 1+
- ￥ 6.15406 10+
- ￥ 5.80571 100+
- ￥ 5.47709 500+
- ￥ 5.16706 1000+
- 型号： IRFH8324TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.52330
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：23A Ta 90A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.6W Ta 54W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.6W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：13 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.1m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2380pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：31nC @ 10V
- 上升时间：26ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8.5 ns
- 连续放电电流(ID)：23A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：50A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：200A
- 雪崩能量等级（Eas）：94 mJ
- 栅源电压：1.8 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRFH8324TRPBF Infineon Technologies- IRFH8318TRPBF Infineon Technologies
- IRFH8325TRPBF Infineon Technologies
- IRFH8318TR2PBF Infineon Technologies
IRFH3702TR2PBF Infineon Technologies
