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单MOSFET晶体管 / IRF5800TRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF5800TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：Micro6™(TSOP-6)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Ta
- Turn Off Delay Time：24 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：2 (1 Year)
- 终端：SMD/SMT
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：11.4 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：85mOhm @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：535pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：-4A
- 阈值电压：-1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- 双电源电压：-30V
- 输入电容：535pF
- 漏源电阻：85mOhm
- 最大rds：85 mΩ
- 栅源电压：-1 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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