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MOSFETs 晶体管阵列 / DMG6602SVT-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.65742 1+
- ￥ 2.50700 10+
- ￥ 2.36510 100+
- ￥ 2.23122 500+
- ￥ 2.10493 1000+
- 型号： DMG6602SVT-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 23685
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.65742
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.4A 2.8A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：13 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：95mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：840mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DMG6602
- 引脚数量：6
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：840mW
- 接通延迟时间：3 ns
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：60m Ω @ 3.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：400pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：3 ns
- 连续放电电流(ID)：2.8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：13A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 高度：1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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