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单MOSFET晶体管 / AUIRL1404ZS
- 价格 起订量
- ￥ 10.39420 1+
- ￥ 9.80585 10+
- ￥ 9.25080 100+
- ￥ 8.72717 500+
- ￥ 8.23318 1000+
- 型号： AUIRL1404ZS
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 360000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.39420
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：Surface Mount, Through Hole
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：160A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：200W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：5.9MOhm
- 附加功能：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：200W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.1m Ω @ 75A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5080pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：110nC @ 5V
- 上升时间：180ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：49 ns
- 连续放电电流(ID)：160A
- 阈值电压：1.4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 漏源击穿电压：40V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：790A
- 雪崩能量等级（Eas）：490 mJ
- 高度：9.65mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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