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单MOSFET晶体管 / FQI27N25TU-F085
- 价格 起订量
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- 型号： FQI27N25TU-F085
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A N-CH MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 417
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 质量：2.084g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.13W Ta 417W Tc
- Turn Off Delay Time：81 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：哑光锡
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.13W
- 接通延迟时间：36 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 12.75A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1800pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：65nC @ 10V
- 上升时间：164ns
- 漏源电压 (Vdss)：250V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：77 ns
- 连续放电电流(ID)：25.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- DS 击穿电压-最小值：250V
- 雪崩能量等级（Eas）：600 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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