简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQI5N30TU
- 价格 起订量
- ￥ 5.47345 1+
- ￥ 5.16363 10+
- ￥ 4.87135 100+
- ￥ 4.59561 500+
- ￥ 4.33548 1000+
- 型号： FQI5N30TU
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 300V 5.4A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail
- 库存地点： 内地
- 库存： 68456
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.47345
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：I2PAK (TO-262)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：3.13W Ta 70W Tc
- Turn Off Delay Time：17 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：QFET®
- 已出版：2000
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：300V
- 额定电流：5.4A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：3.13W
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：900mOhm @ 2.7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：430pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13nC @ 10V
- 上升时间：55ns
- 漏源电压 (Vdss)：300V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：27 ns
- 连续放电电流(ID)：5.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：300V
- 输入电容：430pF
- 漏源电阻：680mOhm
- 最大rds：900 mΩ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
