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单MOSFET晶体管 / FDMS2510SDC
- 价格 起订量
- ￥ 9.33890 1+
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- ￥ 7.84112 500+
- ￥ 7.39728 1000+
- 型号： FDMS2510SDC
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
- 库存地点： 内地
- 库存： 15694
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.33890
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：Dual Cool™56
- 质量：90mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Ta 49A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：3.3W Ta 60W Tc
- Turn Off Delay Time：27 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
- 已出版：2013
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 元素配置：Single
- 功率耗散：60W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.9mOhm @ 23A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2780pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：45nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：3 ns
- 连续放电电流(ID)：49A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：25V
- 输入电容：2.78nF
- 漏源电阻：2.9mOhm
- 最大rds：2.9 mΩ
- 栅源电压：1.7 V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
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