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单MOSFET晶体管 / FDMS8570SDC
- 价格 起订量
- ￥ 11.15345 1+
- ￥ 10.52212 10+
- ￥ 9.92653 100+
- ￥ 9.36465 500+
- ￥ 8.83458 1000+
- 型号： FDMS8570SDC
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8570SDC MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 25 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.5 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 7278
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.15345
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：90mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Ta 60A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.3W Ta 59W Tc
- Turn Off Delay Time：33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Digi-Reel®
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：59W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.8m Ω @ 28A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2825pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：42nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：3 ns
- 连续放电电流(ID)：60A
- 阈值电压：1.5V
- JEDEC-95代码：MO-240AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：25V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：100A
- 雪崩能量等级（Eas）：45 mJ
- 场效应管特性：Schottky Diode (Body)
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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