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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMB506P
- 价格 起订量
- ￥ 5.69186 1+
- ￥ 5.36968 10+
- ￥ 5.06573 100+
- ￥ 4.77899 500+
- ￥ 4.50849 1000+
- 型号： FDMB506P
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： Trans MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-Pin MLP EP T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 5800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.69186
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件包装：8-MLP, MicroFET (3x1.9)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Power Dissipation (Max)：1.9W Ta
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：30mOhm @ 6.8A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2960pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：30nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
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