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单MOSFET晶体管 / FQP19N10L
- 价格 起订量
- ￥ 3.03934 1+
- ￥ 2.86730 10+
- ￥ 2.70500 100+
- ￥ 2.55189 500+
- ￥ 2.40744 1000+
- 型号： FQP19N10L
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 1169
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.03934
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件包装：TO-220-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Power Dissipation (Max)：75W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：QFET®
- 已出版：2000
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：100V
- 额定电流：19A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：75W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100mOhm @ 9.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：870pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18nC @ 5V
- 上升时间：410ns
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：140 ns
- 连续放电电流(ID)：19A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 输入电容：870pF
- 漏源电阻：100mOhm
- 最大rds：100 mΩ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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